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STP21N65M5

Name: STMicroelectronics STP21N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP21N65M5
Price: 4.48 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STP21N65M5

N° de fab. :

STP21N65M5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V MDMesh M5

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Fiche technique:

STP21N65M5 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,48 €	4,48 €
	2,34 €	23,40 €
	2,13 €	213,00 €
	1,77 €	885,00 €
	1,73 €	1.730,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	17 A
Rds On - Résistance drain-source:	150 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	50 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	Mdmesh M5
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N

Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics, une technologie de MOSFET de puissance révolutionnaire, basée sur un processus vertical propriétaire innovant qui est combiné à la célèbre structure à disposition horizontale PowerMESH™ de STMicroelectronics. Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics offre une résistance à l'état passant extrêmement faible, qui reste inégalée par les MOSFET de puissance à base de silicium, en faisant un choix idéal pour les applications qui requièrent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
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