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STP15N60M2-EP

Name: STMicroelectronics STP15N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP15N60M2-EP
Price: 2.03 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STP15N60M2-EP

N° de fab. :

STP15N60M2-EP

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

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NRND:

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Fiche technique:

STP15N60M2-EP Fiche technique (PDF)

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	0,759 €	379,50 €
	0,633 €	633,00 €
	0,631 €	1.262,00 €
	0,607 €	3.035,00 €
	0,605 €	6.050,00 €
25.000	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	11 A
Rds On - Résistance drain-source:	378 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	17 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	110 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	15 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	STP15N60M2-EP
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	11 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

STP15N60M2-EP Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ II

Les MOSFET de puissance STMicroelectronics MDmesh™ II associent une structure verticale à la disposition en bande de STM pour obtenir l'un des plus bas niveaux de résistance à l'état passant et de charge de grille de l'industrie, les rendant ainsi adaptés à la plupart des convertisseurs haute efficacité les plus exigeants. Ces MOSFET de puissance MDmesh™ II sont entièrement isolés, sont fournis dans un boîtier à profil mince avec une ligne de fuite accrue entre la broche et la platine du dissipateur de chaleur. Ils sont 100 % testés en mode avalanche et offrent une capacité en entrée, une charge de grille et une résistance d'entrée de grille faibles.
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