STP140N6F7

STMicroelectronics
511-STP140N6F7
STP140N6F7

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
40 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
STripFET
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Type de produit: MOSFETs
Série: STP140N6F7
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 2 g
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance STripFET™

Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont des MOSFET à mode d’amélioration qui bénéficient de la toute dernière technologie STripFET™ propriétaire de STMicroelectronics avec une nouvelle structure de grille. Le MOSFET de puissance STripFET™ qui en résulte affiche le courant élevé et le faible RDS(on) requis par les applications de commutation industrielles et automobiles, telles que les commandes de moteur, les onduleurs, les convertisseurs CC/CC, les évaporateurs par induction et les applications solaires. Les MOSFET de puissance STripFET™ de STMicroelectronics offrent une charge de grille de commutation très faible, une robustesse élevée en matière d'avalanches, de faibles pertes de puissance et une haute densité de puissance. Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont les MOSFET 30 V - 150 V qui offrent le plus faible RDS(on) du marché.
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