STP11NM80

STMicroelectronics
511-STP11NM80
STP11NM80

Fab. :

Description :
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 1.973

Stock:
1.973 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
4,84 € 4,84 €
3,16 € 31,60 €
2,90 € 290,00 €
2,76 € 1.380,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
11 A
400 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
43.6 nC
- 65 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: CN
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 15 ns
Transconductance directe - min.: 8 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 17 ns
Série: STP11NM80
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 46 ns
Délai d'activation standard: 22 ns
Poids de l''unité: 2 g
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99