Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

STP105N3LL

Name: STMicroelectronics STP105N3LL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP105N3LL
Price: 1.41 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STP105N3LL

N° de fab. :

STP105N3LL

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI

Complétez votre conception

Fiche technique:

STP105N3LL Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics STP105N3LL

En stock: 2.575

Stock:: 2.575 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 19 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,41 €	1,41 €
	0,671 €	6,71 €
	0,599 €	59,90 €
	0,471 €	235,50 €
	0,413 €	413,00 €
	0,394 €	788,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	150 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	42 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	140 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	23.4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	91 ns
Série:	STP105N3LL
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	24.5 ns
Délai d'activation standard:	19 ns
Poids de l''unité:	2 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

STP105N3LL Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low R_DS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

MOSFET de puissance STripFET™

Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont des MOSFET à mode d’amélioration qui bénéficient de la toute dernière technologie STripFET™ propriétaire de STMicroelectronics avec une nouvelle structure de grille. Le MOSFET de puissance STripFET™ qui en résulte affiche le courant élevé et le faible R_DS(on) requis par les applications de commutation industrielles et automobiles, telles que les commandes de moteur, les onduleurs, les convertisseurs CC/CC, les évaporateurs par induction et les applications solaires. Les MOSFET de puissance STripFET™ de STMicroelectronics offrent une charge de grille de commutation très faible, une robustesse élevée en matière d'avalanches, de faibles pertes de puissance et une haute densité de puissance. Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont les MOSFET 30 V - 150 V qui offrent le plus faible R_DS(on) du marché.
En savoir plus