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STN3P10F6

Name: STMicroelectronics STN3P10F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STN3P10F6
Price: 0.18 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STN3P10F6

N° de fab. :

STN3P10F6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET P-channel -100 V, 0.136 Ohm typ., -3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SOT-223 pac

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Fiche technique:

STN3P10F6 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-223-4
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	180 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	16.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3.3 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	4.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	4000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	10.5 ns