STL52N60DM6

STMicroelectronics
511-STL52N60DM6
STL52N60DM6

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

Modèle de ECAO:
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En stock: 1.501

Stock:
1.501 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
5,31 € 5,31 €
4,06 € 40,60 €
3,29 € 329,00 €
2,92 € 1.460,00 €
2,50 € 2.500,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
2,35 € 7.050,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5
N-Channel
1 Channel
600 V
45 A
84 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
174 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Temps de descente: 9.2 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 4.3 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 63 ns
Délai d'activation standard: 19.4 ns
Poids de l''unité: 180 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr), combined with low RDS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.