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STL2N80K5

Name: STMicroelectronics STL2N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL2N80K5
Price: 1.42 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

511-STL2N80K5

N° de fab. :

STL2N80K5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

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Fiche technique:

STL2N80K5 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,42 €	1,42 €
	0,877 €	8,77 €
	0,644 €	64,40 €
	0,507 €	253,50 €
	0,463 €	463,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,396 €	1.188,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-5x6-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.7 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	30 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	STL2N80K5
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	76 mg

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Fiche technique

STL2N80K5 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Italie
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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