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STL26N60DM6

Name: STMicroelectronics STL26N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL26N60DM6
Price: 1.4 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STL26N60DM6

N° de fab. :

STL26N60DM6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-8x8-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	15 A
Rds On - Résistance drain-source:	215 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.25 V
Qg - Charge de grille:	24 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	110 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Série:	STx26
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	39 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Poids de l''unité:	180 mg

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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