Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

STL13N60DM2

Name: STMicroelectronics STL13N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL13N60DM2
Price: 2.39 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STL13N60DM2

N° de fab. :

STL13N60DM2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Complétez votre conception

Fiche technique:

STL13N60DM2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics STL13N60DM2

En stock: 3.225

Stock:: 3.225 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,39 €	2,39 €
	1,55 €	15,50 €
	1,07 €	107,00 €
	0,877 €	438,50 €
	0,802 €	802,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,802 €	2.406,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-5x6-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	350 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	19 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	52 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	SG
Temps de descente:	10.6 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.8 ns
Série:	STL13N60DM2
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	42.5 ns
Délai d'activation standard:	12.3 ns
Poids de l''unité:	76 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

STL13N60DM2 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance FDmesh II Plus™ à canal N STx24N60DM2

Les MOSFET de puissance FDmesh II Plus™ à canal N STx24N60DM2 STMicroelectronics sont produits grâce à une nouvelle génération de technologie MDmesh™ : MDmesh II Plus™ à faible Q_g. Ces MOSFET de puissance révolutionnaires associent une structure verticale à un tracé en bande pour atteindre un faible niveau de résistance en fonctionnement et de charge de grille. Ils conviennent aux convertisseurs exigeant un haut rendement et sont idéaux pour les topologies de pont et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
En savoir plus