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STHU32N65DM6AG

Name: STMicroelectronics STHU32N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STHU32N65DM6AG
Price: 4.21 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STHU32N65DM6AG

N° de fab. :

STHU32N65DM6AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,21 €	4,21 €
	2,95 €	29,50 €
	2,55 €	255,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)
	2,44 €	1.464,00 €
	2,35 €	2.820,00 €
	2,31 €	5.544,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	37 A
Rds On - Résistance drain-source:	97 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.75 V
Qg - Charge de grille:	52.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	320 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	2,320 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.