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STH3N150-2

Name: STMicroelectronics STH3N150-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH3N150-2
Price: 4.77 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STH3N150-2

N° de fab. :

STH3N150-2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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Fiche technique:

STH3N150-2 Fiche technique (PDF)

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

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MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,77 €	4,77 €
	3,41 €	34,10 €
	2,50 €	250,00 €
	2,48 €	1.240,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	2,09 €	2.090,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H2PAK-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.5 kV
Id - Courant continu de fuite:	2.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	9 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	29.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	140 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerMESH
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	61 ns
Transconductance directe - min.:	2.6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	47 ns
Série:	STH3N150-2
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type:	45 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

STH3N150-2 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest R_DS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.