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STH30N65DM6-7AG

Name: STMicroelectronics STH30N65DM6-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH30N65DM6-7AG
Price: 2.9 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STH30N65DM6-7AG

N° de fab. :

STH30N65DM6-7AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	115 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.75 V
Qg - Charge de grille:	46 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	223 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3.3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	46 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Poids de l''unité:	1,540 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.