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STGYA75H120DF2

Name: STMicroelectronics STGYA75H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGYA75H120DF2
Price: 7.36 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGYA75H120DF2

N° de fab. :

STGYA75H120DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long l

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Fiche technique:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,36 €	7,36 €
	4,55 €	45,50 €
	4,41 €	529,20 €
	3,84 €	1.958,40 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	MAX257-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.1 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	150 A
Pd - Dissipation d’énergie :	750 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	75 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	4,430 g