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STGWA40H65DFB

Name: STMicroelectronics STGWA40H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA40H65DFB
Price: 3.28 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STGWA40H65DFB

N° de fab. :

STGWA40H65DFB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

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Fiche technique:

STGWA40H65DFB Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,28 €	3,28 €
	2,11 €	21,10 €
	1,44 €	144,00 €
	1,11 €	666,00 €
	1,10 €	1.320,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	80 A
Pd - Dissipation d’énergie :	283 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGWA40H65DFB
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	80 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	+/- 250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6 g