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STGW40V60DF

Name: STMicroelectronics STGW40V60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW40V60DF
Price: 3.57 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGW40V60DF

N° de fab. :

STGW40V60DF

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

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Fiche technique:

STGW40V60DF Fiche technique (PDF)

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	3,57 €	3,57 €
	1,98 €	19,80 €
	1,62 €	162,00 €
	1,51 €	906,00 €
	1,40 €	1.680,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.35 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	80 A
Pd - Dissipation d’énergie :	283 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGW40V60DF
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6,500 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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