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STGW30H65FB

Name: STMicroelectronics STGW30H65FB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW30H65FB
Price: 3.55 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGW30H65FB

N° de fab. :

STGW30H65FB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

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Fiche technique:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,55 €	3,55 €
	2,00 €	20,00 €
	1,38 €	138,00 €
	1,27 €	762,00 €
	1,24 €	1.488,00 €
	1,20 €	3.600,00 €
	1,19 €	6.426,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.75 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	30 A
Pd - Dissipation d’énergie :	260 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGW30H65FB
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	60 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	38 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 650 V HB

Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série HB 650 V STMicroelectronics sont des IGBT développés à l'aide d'une structure exclusive avancée de grille en tranchée et d'arrêt de champ. Ces dispositifs représentent le meilleur compromis entre les pertes de conduction et de commutation afin d'optimiser le rendement de tous les convertisseurs de fréquence. Grâce à la technologie de pointe d'arrêt de champ et de grille en tranchée haut débit de ST, ces IGBT ont une terminaison de coupure de courant au collecteur minimale et une faible tension de saturation (Vce_(sat)) jusqu'à 1,6 V (standard), ce qui réduit les pertes d'énergie au moment de la mise en marche et de la commutation. De plus, un coefficient de température VCE_(sat) légèrement positif et une distribution très étroite des paramètres entraînent un fonctionnement parallèle plus sûr.
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