STGP20M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP20M65DF2
STGP20M65DF2

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

Modèle de ECAO:
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En stock: 747

Stock:
747 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
15 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,42 € 2,42 €
1,23 € 12,30 €
1,11 € 111,00 €
0,894 € 447,00 €
0,82 € 820,00 €
0,771 € 1.542,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
40 A
166 W
- 55 C
+ 175 C
STGP20M65DF2
Tube
Marque: STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.: 40 A
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 uA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 1,800 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99