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STGP10M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP10M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP10M65DF2
Price: 1.61 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGP10M65DF2

N° de fab. :

STGP10M65DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

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Fiche technique:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,61 €	1,61 €
	1,02 €	10,20 €
	0,689 €	68,90 €
	0,545 €	272,50 €
	0,498 €	498,00 €
	0,47 €	940,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Série:	STGP10M65DF2
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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PCN

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ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.