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STGF20H60DF

Name: STMicroelectronics STGF20H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGF20H60DF
Price: 2.01 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STGF20H60DF

N° de fab. :

STGF20H60DF

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

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Fiche technique:

STGF20H60DF Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,01 €	2,01 €
	1,27 €	12,70 €
	0,858 €	85,80 €
	0,696 €	348,00 €
	0,624 €	624,00 €
	0,607 €	1.214,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-220-3 FP
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	40 A
Pd - Dissipation d’énergie :	37 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGF20H60DF
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	2,300 g