STGF20H60DF

STMicroelectronics
511-STGF20H60DF
STGF20H60DF

Fab. :

Description :
IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

Modèle de ECAO:
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668
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Sur commande:
2.000
27/04/2026 attendu
Délai usine :
15
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,04 € 2,04 €
1,28 € 12,80 €
0,946 € 94,60 €
0,80 € 400,00 €
0,668 € 668,00 €
0,648 € 1.296,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220-3 FP
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
40 A
37 W
- 55 C
+ 175 C
STGF20H60DF
Tube
Marque: STMicroelectronics
Pays d’assemblage: CN
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 2,300 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99