STGF10NC60KD

STMicroelectronics
511-STGF10NC60KD
STGF10NC60KD

Fab. :

Description :
IGBTs PowerMESH&#34 IGBT

Modèle de ECAO:
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En stock: 2.270

Stock:
2.270 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
1,38 € 1,38 €
0,656 € 6,56 €
0,585 € 58,50 €
0,481 € 240,50 €
0,428 € 428,00 €
0,382 € 764,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220-3 FP
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
9 A
25 W
- 55 C
+ 150 C
STGF10NC60KD
Tube
Marque: STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.: 9 A
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Courant de fuite gâchette-émetteur: 100 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 2,300 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99