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STGF10M65DF2

Name: STMicroelectronics STGF10M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGF10M65DF2
Price: 0.42 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGF10M65DF2

N° de fab. :

STGF10M65DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

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Fiche technique:

STGF10M65DF2 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-220FP-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.8 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	20 A
Pd - Dissipation d’énergie :	30 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGF10M65DF2
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	20 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	+/- 250 uA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	2 g