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STGF10H60DF

Name: STMicroelectronics STGF10H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGF10H60DF
Price: 1.73 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STGF10H60DF

N° de fab. :

STGF10H60DF

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd

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Fiche technique:

STGF10H60DF Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,73 €	1,73 €
	0,833 €	8,33 €
	0,746 €	74,60 €
	0,593 €	296,50 €
	0,543 €	543,00 €
	0,501 €	1.002,00 €
	0,473 €	2.365,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-220-3 FP
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.5 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	20 A
Pd - Dissipation d’énergie :	30 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGF10H60DF
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	10 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	2,300 g