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STGD4H60DF

Name: STMicroelectronics STGD4H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD4H60DF
Price: 1.06 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STGD4H60DF

N° de fab. :

STGD4H60DF

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT

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Fiche technique:

STGD4H60DF Fiche technique (PDF)

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,06 €	1,06 €
	0,666 €	6,66 €
	0,439 €	43,90 €
	0,352 €	176,00 €
	0,316 €	316,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,285 €	712,50 €
	0,243 €	1.215,00 €
	0,241 €	2.410,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.95 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	8 A
Pd - Dissipation d’énergie :	75 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	330 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT haut débit série H 600 V 4 A STGD4H60DF

L’IGBT haute vitesse série H 600 V 4 A STGD4H60DF de STMicroelectronics est conçu avec une structure avancée à arrêt de champ et grille en tranchée. Les IGBT STGD4H60DF de la série H de STMicroelectronics équilibrent la conduction et le rendement de commutation, ce qui les rend idéaux pour les convertisseurs à haute fréquence. Ces composants offrent également un coefficient de température V_{CE (sat)} légèrement positif et une distribution constante des paramètres pour un fonctionnement parallèle plus sûr.