STFH24N60M2

STMicroelectronics
511-STFH24N60M2
STFH24N60M2

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr

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1,13 € 113,00 €
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0,912 € 839,04 €
0,903 € 2.492,28 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
168 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 15 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 9 ns
Série: STFH24N60M2
Nombre de pièces de l'usine: 920
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 60 ns
Délai d'activation standard: 14 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ II

Les MOSFET de puissance STMicroelectronics MDmesh™ II associent une structure verticale à la disposition en bande de STM pour obtenir l'un des plus bas niveaux de résistance à l'état passant et de charge de grille de l'industrie, les rendant ainsi adaptés à la plupart des convertisseurs haute efficacité les plus exigeants. Ces MOSFET de puissance MDmesh™ II sont entièrement isolés, sont fournis dans un boîtier à profil mince avec une ligne de fuite accrue entre la broche et la platine du dissipateur de chaleur. Ils sont 100 % testés en mode avalanche et offrent une capacité en entrée, une charge de grille et une résistance d'entrée de grille faibles.
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