STF8N65M5

STMicroelectronics
511-STF8N65M5
STF8N65M5

Fab. :

Description :
MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Délai usine :
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
7 A
600 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: IT
Temps de descente: 11 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 14 ns
Série: Mdmesh M5
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 50 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N

Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics, une technologie de MOSFET de puissance révolutionnaire, basée sur un processus vertical propriétaire innovant qui est combiné à la célèbre structure à disposition horizontale PowerMESH de STMicroelectronics. Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics offre une résistance à l'état passant extrêmement faible, qui reste inégalée par les MOSFET de puissance à base de silicium, en faisant un choix idéal pour les applications qui requièrent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
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