Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

STF7LN80K5

Name: STMicroelectronics STF7LN80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF7LN80K5
Price: 2.25 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STF7LN80K5

N° de fab. :

STF7LN80K5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

Complétez votre conception

Fiche technique:

STF7LN80K5 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics STF7LN80K5

En stock: 1.428

Stock:: 1.428 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,25 €	2,25 €
	1,45 €	14,50 €
	1,04 €	104,00 €
	0,869 €	434,50 €
	0,746 €	746,00 €
	0,71 €	1.420,00 €
	0,686 €	3.430,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	5 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.15 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	12 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	25 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	17.4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.7 ns
Série:	STF7LN80K5
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	23.6 ns
Délai d'activation standard:	9.3 ns
Poids de l''unité:	2 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

STF7LN80K5 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET haute tension SuperMESH™

Les MOSFET de puissance SuperMESH™ protégés par une diode Zener de STMicroelectronics représentent une optimisation extrême de la disposition PowerMESH™ en bande standard. Les MOSFET SuperMESH de STMicroelectronics SuperMESH réduisent considérablement la résistance à l'état passant tout en garantissant une excellente capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Les dispositifs SuperMESH ont une charge de grille réduite et sont 100 % testés en mode avalanche, tout en offrant une capacité améliorée aux ESD et une nouvelle référence de tension élevée. Ces MOSFET de STMicroelectronics sont destinés aux applications de commutation.
En savoir plus