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STF38N65M5

Name: STMicroelectronics STF38N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF38N65M5
Price: 5.2 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STF38N65M5

N° de fab. :

STF38N65M5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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Fiche technique:

STF38N65M5 Fiche technique (PDF)

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	2,96 €	29,60 €
	2,65 €	265,00 €
	2,26 €	1.130,00 €
	2,22 €	2.220,00 €
25.000	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	19 A
Rds On - Résistance drain-source:	95 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	71 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	35 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	Mdmesh M5
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

STF38N65M5 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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