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STF12N60M2

Name: STMicroelectronics STF12N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF12N60M2
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STF12N60M2

N° de fab. :

STF12N60M2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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Fiche technique:

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	1,66 €	1,66 €
	0,797 €	7,97 €
	0,71 €	71,00 €
	0,566 €	283,00 €
	0,494 €	494,00 €
	0,445 €	890,00 €
	0,424 €	2.120,00 €
	0,423 €	4.230,00 €
	0,421 €	10.525,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	9 A
Rds On - Résistance drain-source:	450 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	16 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	25 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	18 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9.2 ns
Série:	STF12N60M2
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	56 ns
Délai d'activation standard:	9.2 ns
Poids de l''unité:	2 g

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PCN

Product Change Notification 2024-04-02 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ II

Les MOSFET de puissance STMicroelectronics MDmesh™ II associent une structure verticale à la disposition en bande de STM pour obtenir l'un des plus bas niveaux de résistance à l'état passant et de charge de grille de l'industrie, les rendant ainsi adaptés à la plupart des convertisseurs haute efficacité les plus exigeants. Ces MOSFET de puissance MDmesh™ II sont entièrement isolés, sont fournis dans un boîtier à profil mince avec une ligne de fuite accrue entre la broche et la platine du dissipateur de chaleur. Ils sont 100 % testés en mode avalanche et offrent une capacité en entrée, une charge de grille et une résistance d'entrée de grille faibles.
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