Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

STF11N65M5

Name: STMicroelectronics STF11N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF11N65M5
Price: 2.24 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STF11N65M5

N° de fab. :

STF11N65M5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS

Complétez votre conception

Fiche technique:

STF11N65M5 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics STF11N65M5

En stock: 141

Stock:: 141 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,24 €	2,24 €
	1,45 €	14,50 €
	1,04 €	104,00 €
	0,92 €	460,00 €
	0,749 €	749,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	9 A
Rds On - Résistance drain-source:	480 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	17 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	85 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Série:	Mdmesh M5
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	2 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

STF11N65M5 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N

Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics, une technologie de MOSFET de puissance révolutionnaire, basée sur un processus vertical propriétaire innovant qui est combiné à la célèbre structure à disposition horizontale PowerMESH™ de STMicroelectronics. Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics offre une résistance à l'état passant extrêmement faible, qui reste inégalée par les MOSFET de puissance à base de silicium, en faisant un choix idéal pour les applications qui requièrent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
En savoir plus