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STF10N60M2

Name: STMicroelectronics STF10N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF10N60M2
Price: 1.57 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STF10N60M2

N° de fab. :

STF10N60M2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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Fiche technique:

STF10N60M2 Fiche technique (PDF)

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	0,752 €	7,52 €
	0,672 €	67,20 €
	0,531 €	265,50 €
	0,501 €	501,00 €
	0,456 €	912,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	7.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	560 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	13.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	25 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	SG
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	SG
Temps de descente:	13.2 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	STF10N60M2
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	32.5 ns
Délai d'activation standard:	8.8 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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