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STDRIVE601

Name: STMicroelectronics STDRIVE601
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVE601
Price: 6.39 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STDRIVE601

N° de fab. :

STDRIVE601

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Commandes de grilles Triple half-bridge high-voltage gate driver

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Fiche technique:

STDRIVE601 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,39 €	6,39 €
	4,86 €	48,60 €
	4,52 €	113,00 €
	3,98 €	398,00 €
	3,78 €	945,00 €
	2,85 €	1.425,00 €
	2,82 €	1.974,00 €
	2,75 €	7.700,00 €
5.600	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
RoHS:
Produit:	Half-Bridge Drivers
Type:	3-Phase / Three Phase
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-28
Nombre de pilotes:	3 Driver
Nombre de sorties:	3 Output
Courant de sortie:	200 mA
Tension d’alimentation - Min.:	9 V
Tension d’alimentation - Max.:	20 V
Temps de montée:	120 ns
Temps de descente:	50 ns
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	STDRIVE601
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Kit de développement:	EVALSTDRIVE601
Fonctionnalités:	Integrated Bootstrap Diodes
Type de logique:	CMOS, TTL
Délai de désactivation max.:	120 ns
Délai d'activation max.:	120 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement:	950 uA
Tension de sortie:	580 V
Type de produit:	Gate Drivers
Temps de propagation maximal:	85 ns
Rds On - Résistance drain-source:	46 Ohms
Arrêt:	Shutdown
Nombre de pièces de l'usine:	700
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Fiche technique

STDRIVE601 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Triple pilote de grille à demi-pont STDRIVE601

Le triple pilote de grille à demi-pont STDRIVE601 STMicroelectronics est un dispositif à haute tension fabriqué avec une technologie hors ligne BCD6s. Le dispositif est une puce unique avec trois pilotes de grille à demi-pont pour IGBT ou MOSFET de puissance à canal N adaptés pour des applications triphasées. Toutes les sorties du dispositf peuvent dissiper et fournir respectivement 350 mA et 200 mA. La prévention de conduction transversale est assurée par une fonction de verrouillage et de temps mort. Le dispositif dispose de broches d'entrée dédiées à chaque sortie et une broche de mise à l'arrêt. Les entrées logiques sont compatibles CMOS/TTL jusqu'à 3,3 V pour faciliter l'interfaçage avec les appareils de contrôle. Les retards synchrones entre les sections côté bas et côté haut garantissent l'absence de cycle de distorsion et permettent un fonctionnement à haute fréquence.