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STD80N6F7

Name: STMicroelectronics STD80N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N6F7
Price: 0.29 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STD80N6F7

N° de fab. :

STD80N6F7

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	25 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	100 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	7.8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	17.6 ns
Série:	STD80N6F7
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	24.4 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	360 mg

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Fiche technique

STD80N6F7 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

STripFET VI™ Power MOSFETs

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