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STD12N50M2

Name: STMicroelectronics STD12N50M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD12N50M2
Price: 1.79 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STD12N50M2

N° de fab. :

STD12N50M2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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Fiche technique:

STD12N50M2 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,79 €	1,79 €
	1,14 €	11,40 €
	0,772 €	77,20 €
	0,615 €	307,50 €
	0,57 €	570,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,533 €	1.332,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	325 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	15 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	85 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	34.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10.5 ns
Série:	STD12N50M2
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	8 ns
Délai d'activation standard:	13.5 ns
Poids de l''unité:	330 mg

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Fiche technique

STD12N50M2 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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