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STB60NF06LT4

Name: STMicroelectronics STB60NF06LT4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB60NF06L
Price: 2.2 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STB60NF06L

N° de fab. :

STB60NF06LT4

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp

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Fiche technique:

STB60NF06LT4 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,20 €	2,20 €
	1,42 €	14,20 €
	0,972 €	97,20 €
	0,779 €	389,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	0,724 €	724,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	14 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	35 nC
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	110 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q100
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	30 ns
Transconductance directe - min.:	20 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	220 ns
Série:	STB60NF06LT4
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	55 ns
Délai d'activation standard:	35 ns
Poids de l''unité:	4 g