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STB30N65M5

Name: STMicroelectronics STB30N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB30N65M5
Price: 5.99 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STB30N65M5

N° de fab. :

STB30N65M5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

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Fiche technique:

STB30N65M5 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,99 €	5,99 €
	4,05 €	40,50 €
	3,01 €	301,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	2,81 €	2.810,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	22 A
Rds On - Résistance drain-source:	125 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	64 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	140 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	IT
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	IT
Temps de descente:	10 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	Mdmesh M5
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	50 ns
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

STB30N65M5 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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