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STB18N65M5

Name: STMicroelectronics STB18N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB18N65M5
Price: 3.13 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STB18N65M5

N° de fab. :

STB18N65M5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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Fiche technique:

STB18N65M5 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,13 €	3,13 €
	2,06 €	20,60 €
	1,44 €	144,00 €
	1,26 €	630,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	1,08 €	1.080,00 €
	1,07 €	5.350,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	15 A
Rds On - Résistance drain-source:	198 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	31 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	110 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Série:	Mdmesh M5
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

STB18N65M5 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N

Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics, une technologie de MOSFET de puissance révolutionnaire, basée sur un processus vertical propriétaire innovant qui est combiné à la célèbre structure à disposition horizontale PowerMESH™ de STMicroelectronics. Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics offre une résistance à l'état passant extrêmement faible, qui reste inégalée par les MOSFET de puissance à base de silicium, en faisant un choix idéal pour les applications qui requièrent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
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STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.