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STB18N60M6

Name: STMicroelectronics STB18N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB18N60M6
Price: 2.7 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STB18N60M6

N° de fab. :

STB18N60M6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

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Fiche technique:

STB18N60M6 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,70 €	2,70 €
	1,75 €	17,50 €
	1,26 €	126,00 €
	1,05 €	525,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	0,946 €	946,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	13 A
Rds On - Résistance drain-source:	280 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.25 V
Qg - Charge de grille:	16.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	110 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	9 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Série:	Mdmesh M6
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	28 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Poids de l''unité:	1,380 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET MDmesh™ M6

Les MOSFET MDmesh™ M6 STMicroelectronics associent une faible charge de grille (Q_g) avec un profil de capacité optimisée pour cibler un haut rendement sur les nouvelles topologies dans les applications de conversion de puissance. La série MDmesh M6 à super-jonction offre des performances à ultra-haut rendement résultant d'une densité de puissance accrue et d'une faible charge de grille pour un fonctionnement à hautes fréquences. Les MOSFET série M6 présentent une tension de rupture allant de 600 à 700 V. Ils sont disponibles dans une large variété d'options de boîtier, notamment une solution TO-LL (TO sans fil) permettant une gestion thermique efficace. Les composants sont fournis dans une large gamme de tensions de fonctionnement pour les applications industrielles, comme les chargeurs, les adaptateurs, les modules Silver Box, l'éclairage à LED, les télécommunications, les serveurs et l'énergie solaire.