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STB11N65M5

Name: STMicroelectronics STB11N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB11N65M5
Price: 2.51 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STB11N65M5

N° de fab. :

STB11N65M5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V

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Fiche technique:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,51 €	2,51 €
	1,63 €	16,30 €
	1,13 €	113,00 €
	0,937 €	468,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	0,823 €	823,00 €
	0,796 €	1.592,00 €
	0,783 €	3.915,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	9 A
Rds On - Résistance drain-source:	480 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	17 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	85 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	Mdmesh M5
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

STB11N65M5 Fiche technique (PDF)

EOL

PRODUCT TERMINATION NOTIFICATION (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N

Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics, une technologie de MOSFET de puissance révolutionnaire, basée sur un processus vertical propriétaire innovant qui est combiné à la célèbre structure à disposition horizontale PowerMESH™ de STMicroelectronics. Le MOSFET de puissance MDmesh™ V à canal N de STMicroelectronics offre une résistance à l'état passant extrêmement faible, qui reste inégalée par les MOSFET de puissance à base de silicium, en faisant un choix idéal pour les applications qui requièrent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
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