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STB100N6F7

Name: STMicroelectronics STB100N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB100N6F7
Price: 1.88 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STB100N6F7

N° de fab. :

STB100N6F7

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package

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Fiche technique:

STB100N6F7 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,88 €	1,88 €
	1,20 €	12,00 €
	0,818 €	81,80 €
	0,652 €	326,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	0,598 €	598,00 €
	0,584 €	1.168,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	30 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	15 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	55.5 ns
Série:	STB100N6F7
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	28.6 ns
Délai d'activation standard:	21.6 ns
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

STB100N6F7 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance STripFET™

Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont des MOSFET à mode d’amélioration qui bénéficient de la toute dernière technologie STripFET™ propriétaire de STMicroelectronics avec une nouvelle structure de grille. Le MOSFET de puissance STripFET™ qui en résulte affiche le courant élevé et le faible R_DS(on) requis par les applications de commutation industrielles et automobiles, telles que les commandes de moteur, les onduleurs, les convertisseurs CC/CC, les évaporateurs par induction et les applications solaires. Les MOSFET de puissance STripFET™ de STMicroelectronics offrent une charge de grille de commutation très faible, une robustesse élevée en matière d'avalanches, de faibles pertes de puissance et une haute densité de puissance. Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont les MOSFET 30 V - 150 V qui offrent le plus faible R_DS(on) du marché.
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