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SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 8.37 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SGT65R65AL

N° de fab. :

SGT65R65AL

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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Fiche technique:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	8,37 €	8,37 €
	5,79 €	57,90 €
	4,71 €	471,00 €
	4,68 €	2.340,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	4,06 €	12.180,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	65 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	+ 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Qg - Charge de grille:	5.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	305 W
Marque:	STMicroelectronics
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	GaN FETs
Série:	SGT
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-Si
Type de transistor:	E-Mode
Type:	RF Power MOSFET
Poids de l''unité:	76 mg

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Application Notes

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors PowerGaN en mode E SGT65R65AL

Les transistors PowerGaN en mode E SGT65R65AL de STMicroelectronics sont des transistors 650 V et 25 A combinés à une technologie de boîtier bien établie. Le SGT65R65AL de STMicroelectronics dispose d'un composant G-HEMT résultant qui présente des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et un fonctionnement de commutation ultra-rapide. Le composant permet une densité de puissance élevée et des performances d'efficacité imbattables.