SCTL35N65G2V

STMicroelectronics
511-SCTL35N65G2V
SCTL35N65G2V

Fab. :

Description :
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Modèle de ECAO:
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Stock:
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
13,78 € 13,78 €
9,74 € 97,40 €
8,95 € 895,00 €
8,94 € 4.470,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
7,61 € 22.830,00 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-5
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
67 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
417 W
Enhancement
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Temps de descente: 14 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Délai de désactivation type: 35 ns
Délai d'activation standard: 16 ns
Poids de l''unité: 180 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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