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SCT027W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT027W65G3-4AG
Price: 11.1 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCT027W65G3-4AG

N° de fab. :

SCT027W65G3-4AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	29 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	51 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	313 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	31 ns
Délai d'activation standard:	17 ns

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ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium SCTx0N120

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et à haute densité d'alimentation.