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SCT027HU65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT027HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT027HU65G3AG
Price: 11.62 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SCT027HU65G3AG

N° de fab. :

SCT027HU65G3AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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Fiche technique:

SCT027HU65G3AG Fiche technique (PDF)

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	8,67 €	86,70 €
	7,50 €	750,00 €
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	7,10 €	4.260,00 €
	6,03 €	7.236,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Marque:	STMicroelectronics
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

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PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium SCTx0N120

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et à haute densité d'alimentation.