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SCT011HU75G3AG

Name: STMicroelectronics SCT011HU75G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT011HU75G3AG
Price: 21.51 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCT011HU75G3AG

N° de fab. :

SCT011HU75G3AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

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SCT011HU75G3AG Fiche technique (PDF)

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	21,51 €	21,51 €
	15,81 €	158,10 €
	15,80 €	1.580,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)
	13,43 €	8.058,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HU3PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	110 A
Rds On - Résistance drain-source:	15 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.2 V
Qg - Charge de grille:	154 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	652 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	11 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	42 ns
Délai d'activation standard:	23 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile

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