L99H02QFTR

STMicroelectronics
511-L99H02QFTR
L99H02QFTR

Fab. :

Description :
Commandes de grilles Motor bridge driver for automotive applications

Modèle de ECAO:
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En stock: 747

Stock:
747 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
23 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2400)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,91 € 2,91 €
2,18 € 21,80 €
2,00 € 50,00 €
1,81 € 181,00 €
1,71 € 427,50 €
1,66 € 830,00 €
1,50 € 1.500,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2400)
1,39 € 3.336,00 €
1,36 € 6.528,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
LQFP-32
2 Driver
2 Output
38 mA
6 V
28 V
170 ns
210 ns
- 40 C
+ 150 C
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Sensibles à l’humidité: Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement: 5.5 mA
Type de produit: Gate Drivers
Temps de propagation maximal: 1.9 us
Nombre de pièces de l'usine: 2400
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Poids de l''unité: 180 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

Pilote de grille de pont en H L99H02

Le pilote de grille de pont en H L99H02 de STMicroelectronics est conçu pour piloter quatre transistors MOS à canal N externes en configuration de pont en H pour le pilotage de moteurs CC dans les applications automobiles. Un amplificateur de détection de courant configurable gratuitement est intégré au L99H02 de STMicroelectronics. L'interface périphérique série (SPI) standard intégrée contrôle le composant et fournit des informations de diagnostic. Une broche d'interface pour les capteurs thermiques des MOSFET externes est mise en œuvre.