A2U12M12W2-F2

STMicroelectronics
511-A2U12M12W2-F2
A2U12M12W2-F2

Fab. :

Description :
Modules MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET

Cycle de vie:
NRND:
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Modèle de ECAO:
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: Modules MOSFET
RoHS:  
SiC
Press Fit
- 10 V, + 22 V
- 40 C
+ 150 C
Tray
Marque: STMicroelectronics
Type de produit: MOSFET Modules
Nombre de pièces de l'usine: 18
Sous-catégorie: Discrete and Power Modules
Type: Full Bridge
Vr - Tension inverse: 1.2 kV
Poids de l''unité: 42 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Modules de puissance ACEPACK 2

Les modules d'alimentation ACEPACK 2 de STMicroelectronics sont des modules 1 200 V qui intègrent la technologie MOSFET de puissance SiC. Ces modules de puissance prennent en charge les propriétés du matériau SiC à large bande interdite et un substrat à hautes performances thermiques. Le module A2F12M12W2-F1 dispose d'une topologie à 4 packs et le module A2U12M12W2-F2 dispose d'une topologie à 3 niveaux. Les modules ACEEPACK 2 offrent une faible résistance en marche par unité de surface et de bonnes performances de commutation quasiment indépendantes de la température. Les modules d'alimentation fonctionnent avec une résistance RDS(on) standard de 13 mΩ, un courant de drain (ID) de 75 A, une température de jonction maximale (TJ) de 175 °C et une isolation de tension efficace de 2,5 kVrms. Les modules ACEPACK 2 utilisent des broches de contact à insertion par pression et sont utilisés dans les convertisseurs CC/CC.