2SD2012

STMicroelectronics
511-2SD2012
2SD2012

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT NPN Silcon Pwr Trans
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Cycle de vie:
Obsolète
Fiche technique:
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Disponibilité

Stock:

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STMicroelectronics
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Restrictions en matière d'expédition :
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RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220F-3
NPN
Single
3 A
60 V
60 V
7 V
400 mV
25 W
3 MHz
- 65 C
+ 150 C
2SD2012
Tube
Marque: STMicroelectronics
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 20
Gain de courant CC hFE max.: 320
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 3,610 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

EOL

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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