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TP70H300G4JSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP70H300G4JSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP70H300G4JSGBTR
Price: 3.28 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

227-TP70H300G4JSGBTR

N° de fab. :

TP70H300G4JSGB-TR

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN

Fiche technique:

TP70H300G4JSGB-TR Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Produit:	FETs
Type de produit:	GaN FETs
Série:	Gen IV SuperGaN
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN

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Fiche technique

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USHTS:: 8541497040
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.