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TP65H015G5WS

Name: Renesas Electronics TP65H015G5WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H015G5WS
Price: 18.98 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H015G5WS

N° de fab. :

TP65H015G5WS

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN GAN FET 650V 95A TO2 47

Fiche technique:

TP65H015G5WS Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	18,98 €	18,98 €
	18,47 €	184,70 €
	17,35 €	1.735,00 €
	11,47 €	5.735,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	95 A
Rds On - Résistance drain-source:	18 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	68 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	276 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	20 ns
Nombre de pièces de l'usine:	900
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Délai de désactivation type:	132 ns
Délai d'activation standard:	78 ns

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Fiche technique

TP65H015G5WS Fiche technique (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

FET SuperGaN® TP65H015G5WS

Le FET SuperGaN^® TP65H015G5WS de Renesas Electronics est un FET GaN (nitrure de gallium) à blocage normal de 650 V, 15 mΩ qui implémente la plateforme SuperGaN Gen V. La plateforme utilise des technologies d'épitaxie avancée et de conception brevetée. Ces caractéristiques du Renesas TP65H015G5WS simplifient la fabricabilité tout en améliorant l'efficacité du silicium grâce à une charge de grille inférieure, une capacité de sortie, une perte de croisement et une charge de récupération inverse.